「1回の充電で1週間使えるスマホ」を実現する「VTFET」をIBMとSamsungが開発、処理能力を2倍向上させることも
スマホの利用シーンが大きく変わるかもしれません。詳細は以下から。
Advertisement
IBM公式ページ(※2021年12月14日15:55現在閲覧不可)や海外メディアの報道によると、IBMとSamsungがサンフランシスコで開催されたIEDMカンファレンスにおいて、トランジスタをチップ上に垂直に積み重ねる新しい設計技術「VTFET」を発表したそうです。
現在、スマホやパソコン向けのプロセッサは平面に配置されたトランジスタを電気が流れていますが、VTFETでは垂直方向に配置されたトランジスタを電気が流れるとのこと。
これにより現行のFinFET技術の限界を超えた形でパフォーマンスを引き出すことができる上、電力効率が飛躍的に向上するため、プロセッサの性能を2倍に向上させられるようになります。
また、消費電力を85%抑えることも可能で、将来的に「1回の充電で丸1週間動くスマホが登場する可能性がある」とされており、まさに世界を変える技術となりそうです。
コメントを見る
・関連記事
初のSnapdragon 8 Gen 1スマホ「Moto Edge X30」に発熱問題、2022年はアチアチスマホだらけに | Buzzap!
【悲報】楽天モバイルのiPhone、バッテリー消費が激しすぎることがauとの徹底比較で明らかに | Buzzap!
バッテリー容量2倍で充電時間半分、寿命も1.5倍の安価な「3Dバッテリー」開発、EVに革命をもたらす新技術に | Buzzap!
この記事をSNSでシェア
モバイル に関する人気記事
- 【朗報】Pixel 8a「7年保証」で5月16日発売か、『ずっと使える廉価版』競合各社の格安スマホを圧倒へ
- 【速報】格安タブレットの決定版「Alldocube iPlay 50 Pro Max」値下げ、6万円超えのスマホと同性能でお値段なんと半額以下に
- 「廉価版iPad Pro」年内発売へ、miniLED搭載の新シリーズiPadは「ProとAirの中間」を目指した手ごろな高性能モデルに
- 【悲報】Galaxy S25 Ultra「積層型バッテリー」非搭載でiPhone 16に見劣り、Snapdragon 8 Gen 4高騰で65W急速充電も非対応に
- 「Snapdragon 8 Gen 4」低クロック動作すらGen 2圧倒の『えげつない高性能』に、ただし消費電力や発熱問題の懸念消えず
モバイル の最新記事
- 「Galaxy Z Flip6/Fold6」ついにExynos搭載か、自社製プロセッサ積極採用でコスト削減へ
05月02日 12:30 - 「HTC U24/U24 Pro」まもなく登場、Snapdragon 7 Gen 3に刷新で1.5倍以上の処理能力に
05月02日 12:00 - 「Snapdragon 8 Gen 4」低クロック動作すらGen 2圧倒の『えげつない高性能』に、ただし消費電力や発熱問題の懸念消えず
05月01日 20:30 - サムスン「80%以上シェア減少」の衝撃、折りたたみスマホでファーウェイなどの低価格攻勢に対抗できず面目丸つぶれに
05月01日 18:45 - 楽天モバイルがプラチナバンド帯の試験開始、今夏前の開通に全力へ
05月01日 16:05