分があるはずの最先端半導体で、思わぬ苦戦を強いられています。詳細は以下から。
韓国メディアの報道によると、最先端の3nmプロセスを用いたSamsungの半導体製造事業が苦境に立たされているそうです。
同社は2022年、製造プロセスの微細化によって発生するリーク電流の問題などを改善した「GAA(Gate-All-Around)」トランジスタ構造を世界で初めて導入しましたが、市場の評価は思わしくないとのこと。
クアルコムなど名だたるメーカー各社から受注にこぎ着けられていないだけでなく、収益率や売上などあらゆる面で1位のTSMCに追いついていない状況とされています。
このような評価を受けた背景として挙げられるのが、3nmプロセスの歩留まり(=良品率)の低さ。60%台にとどまるとみられており、40%近い不良品率が生み出す採算性の低さが足かせとなっているようです。
なお、TSMCに先駆けてGAAトランジスタ構造をいち早く採用したことで、次世代の2nmプロセス半導体の製造において技術的なアドバンテージがSamsungにもたらされる見込み。
稼働率が下落した現在こそ業績が奮わないものの、今後TSMCと対等な競争を期待できるようになるとされています。
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