最先端「1.4nmプロセス」TSMCが2nmプロセスに続き量産へ、GAA技術で低発熱かつ低消費電力、超高性能なスマホ実現か

ポスト ツイート シェア はてブ LINEで送る コメント

AppleをはじめクアルコムやMediatekなどの半導体を製造する世界最大のファウンドリのTSMCが、最先端技術の計画を初めて明らかにしました。詳細は以下から。

海外メディアの報道によると、TSMCは2027年以降に「1.4nmプロセス」の導入を予定しているそうです。

これはサンフランシスコで開催された世界最大級の半導体の国際会議「IEDM 2023」で明らかになったもの。

TSMCは2025年に「N2」と呼ばれる2nmプロセス技術を採用した半導体の製造を始めるほか、N2の低消費電力を改善しトランジスタ密度を高めた2nmプロセスの「N2P」を2026年に向け準備しているとのこと。

そして、2027年～2028年ごろには「A14」と呼ばれる1.4nmプロセスを採用した半導体の生産を予定しているそうです。

A14には、リーク電流を抑えて電力効率を上げる「GAA（ゲートオールアラウンド）」技術が2nmプロセスに引き続き採用されることで省電力や高パフォーマンスを実現し、発熱問題も解消できるとされています。

1.4nmプロセスについては、SamsungがGAA技術をいち早く導入しながら3nmプロセスの量産をスキップすることで開発スピードを早め、同じく2027年に量産を始めるとしており、ロードマップがかち合うことになるTSMC。

価格競争がすすめば「最新プロセスを使った安くて高性能なプロセッサ」が登場する可能性もあるため、どちらが先に実用化にこぎ着けるのかについても注目されます。