2025年に実用化される最先端半導体をめぐって、世界最大手の製造メーカーが開発の進捗を明かしました。詳細は以下から。
海外メディアの報道によると、TSMCが最先端の2nmプロセス「N2」について、すでに80%を上回る歩留まり(=良品率)を実現したことを明かしたそうです。
同社は微細化によって発生するリーク電流の問題などを改善した「GAA(Gate-All-Around)」トランジスタ構造を2nmプロセスから導入しますが、性能・歩留まりともに目標をほぼ達成しており、2025年後半に量産体制に入る予定とのこと。
すでに改良を施した「N2P」の開発も視野に入っており、2026年後半の実用化が期待されています。
なお、ここで興味深いのがN2Pがもたらすアップデート。なんとApple A18 ProやSnapdragon 8 Gen 4、Dimensity 9400などが採用する3nmプロセス「N3E」と比較してクロック数が15~20%向上する一方、消費電力は30~40%削減されるとしており、たった2年で飛躍的にプロセッサが進化することになります。
各種性能の向上はもとより、高い良品率を維持することで製造コストを抑えることまでできるTSMCの2nmプロセス。
3nmプロセスでいち早くGAAを導入したものの、歩留まりが奮わないとみられるSamsungがキャッチアップできなければ価格競争も起きないだけに、続報が待たれます。
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