「1回の充電で1週間使えるスマホ」を実現する「VTFET」をIBMとSamsungが開発、処理能力を2倍向上させることも

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スマホの利用シーンが大きく変わるかもしれません。詳細は以下から。

IBM公式ページ（※2021年12月14日15:55現在閲覧不可）や海外メディアの報道によると、IBMとSamsungがサンフランシスコで開催されたIEDMカンファレンスにおいて、トランジスタをチップ上に垂直に積み重ねる新しい設計技術「VTFET」を発表したそうです。

現在、スマホやパソコン向けのプロセッサは平面に配置されたトランジスタを電気が流れていますが、VTFETでは垂直方向に配置されたトランジスタを電気が流れるとのこと。

これにより現行のFinFET技術の限界を超えた形でパフォーマンスを引き出すことができる上、電力効率が飛躍的に向上するため、プロセッサの性能を2倍に向上させられるようになります。

また、消費電力を85％抑えることも可能で、将来的に「1回の充電で丸1週間動くスマホが登場する可能性がある」とされており、まさに世界を変える技術となりそうです。