iPhone採用説もある「中国産フラッシュメモリ」に暗雲、製造が難航していることが明らかに

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主要半導体の自国生産を目指す中国が大規模投資を行っているフラッシュメモリ事業が難航していることが明らかになりました。詳細は以下から。

台湾メディア「DIGITIMES」の報道によると、中国・紫光集団傘下の「長江ストレージ（YMTC、Yangtze Memory Technologies）」が128層の3D NANDの製造技術開発に取り組んでいるそうです。

多層構造を採用した「3D NAND」はフラッシュメモリの大容量化に欠かせない技術ですが、依然として商業生産には不十分な歩留まりとのこと。

中国はフラッシュメモリの供給を日米韓のメーカー各社に依存しているため、自国での生産にシフトすることで依存からの脱却を目指すとされています。

なお、中国産フラッシュメモリにはAppleも興味を示しており、調達を検討していることが過去には報じられていました。

しかしAppleの要求水準は高く、フラッシュメモリには機密保持などをはじめ安全保障上の問題があるため、もし長江ストレージが商業生産にこぎつけても、まずは中国国内向けの製品に限って採用するとみられています。