「不良品率65%」に泣いたサムスン、3nmプロセスの最先端半導体をTSMCに先行して製造開始へ



4nmプロセスを採用したSnapdragon 8 Gen 1の「不良品率65%」という歩留まりの悪さや発熱問題などが取りざたされ、先行するTSMCに水をあけられてしまったSamsungが反撃の狼煙を上げるようです。詳細は以下から。

海外メディアの報道によると、Samsungが早ければ来週にも3nmプロセスを採用した半導体の量産を開始するそうです。これは今年下半期の生産開始を予定しているTSMCに先んじたもの。

3nmプロセスを用いた半導体は「Snapdragon 888」などで採用されていた5nmプロセスのものよりも面積が35%小さく、処理能力が30%向上するほか消費電力は50%削減できるとされています。

なお、やはり気になってしまうのが3nmプロセスの歩留まり。

2021年10月にSamsungは3nmプロセスの歩留まりについて「4nmプロセスと同様のレベルに近づいている」とコメントしていたため、楽観視できる状況ではないようです。

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